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GaN- und SiC-Technologien: Der Schlüssel zur Effizienz moderner Stromversorgungssysteme
von Thiele KG
Die Ansprüche an moderne Stromversorgungssysteme wachsen stetig: höhere Effizienz, mehr Leistung auf kleinerem Raum und zuverlässiger Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Die klassischen Silizium-Halbleiter stoßen dabei zunehmend an physikalische Grenzen.
Mit Gallium-Nitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) stehen nun zwei Wide-Bandgap-Halbleiter zur Verfügung, die diese Anforderungen nicht nur erfüllen, sondern in vielen Bereichen übertreffen. Sie ermöglichen kompaktere, effizientere und leistungsfähigere DC/DC- und DC/AC-Wandler – die Herzstücke moderner Energie- und Antriebssysteme.
Neue Halbleiter für neue Anforderungen - Was macht GaN und SiC so besonders?
GaN (Gallium-Nitrid):
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Höhere Elektronenbeweglichkeit: Schnelleres Schalten und geringere Verluste
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Höherer Durchbruchspannungsbereich: Betrieb bei höheren Spannungen möglich
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Kompakte Bauform: Ideal für platzkritische Anwendungen
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Geringere Schaltverluste: Effizienzsteigerung bei Hochfrequenzbetrieb
SiC (Siliziumkarbid):
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Hohe Temperaturbeständigkeit: Betrieb bis weit über 200 °C
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Niedriger Durchlasswiderstand: Weniger Leistungsverlust bei Stromfluss
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Extrem spannungsfest: Ideal für Hochspannungsanwendungen
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Thermisch robust: Weniger Aufwand für Kühlung erforderlich
Konkrete Vorteile in DC/DC- und DC/AC-Wandlern
Ob in einem Wechselrichter für Bahnsysteme oder in einem kompakten DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge – GaN und SiC verbessern die Leistungsfähigkeit auf mehreren Ebenen:
Reduzierte Verluste = höhere Effizienz
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Schaltverluste sinken dank extrem schneller Transistoren
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Leitungsverluste minimieren sich durch niedrigen On-Widerstand
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Ergebnis: Mehr nutzbare Energie, weniger Abwärme
Mehr Leistung auf kleinerem Raum
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Kompakte Bauweise durch höhere Leistungsdichte
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Weniger Kühlaufwand dank besserer Temperaturfestigkeit
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Ideal für Anwendungen mit begrenztem Bauraum, z. B. Schienenfahrzeuge, Drohnen, Ladegeräte oder Rack-Systeme
Robuster Betrieb unter extremen Bedingungen
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GaN- und SiC-Bauteile funktionieren auch bei hohen Umgebungstemperaturen zuverlässig
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Weniger Lüfter oder Kühlkörper erforderlich – höhere Zuverlässigkeit & längere Lebensdauer
Anwendungen in der Praxis
Beispiele für Produkte, die bereits auf GaN- oder SiC-Technologie setzen:
✅ CRS 2000 DC/DC-Wandler – hohe Spannungsstabilität für industrielle Anwendungen
✅ CBS-10K 10kW-Peak DC/DC-Wandler – kompakter Hochleistungswandler für Elektromobilität
✅ OVX-6400 3-phasiger DC/AC-Wechselrichter – für Bahnanwendungen mit Kettenleitungsversorgung
✅ FlexStorm Hochfrequenz-Gleichrichter – platzsparend, hocheffizient und lüfterlos
Forschung & Entwicklung: GaN-Technologie im Fokus
Premium PSU beteiligt sich aktiv am europäischen Forschungsprojekt ALL2GaN, das die Integration von GaN-Technologie in reale Anwendungen vorantreibt. Ziel: höhere Effizienz, geringere Kosten und mehr Nachhaltigkeit.
Highlights des Projekts:
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Integration von GaN in Bahnanwendungen, Ladeinfrastruktur und Energieverteilung
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Entwicklung von Prototypen mit hoher Schaltfrequenz und Leistungsdichte
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Kooperation mit Industrie und Wissenschaft, um die Technologie serienreif zu machen
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Beitrag zur CO₂-Reduktion durch effizientere Stromumwandlung
Durch die Kombination aus Forschung, Prototypenentwicklung und Markterfahrung entsteht eine neue Generation smarter, leistungsstarker Stromversorgungssysteme.
Die Zukunft gehört Gallium-Nitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC)
Egal ob Bahn, Industrie, Energie oder Mobilität – GaN und SiC sind der Schlüssel zu mehr Effizienz, weniger Energieverlust und höherer Kompaktheit.
Die Vorteile sind klar:
✔ Höherer Wirkungsgrad
✔ Geringere Verlustleistung
✔ Kompaktes Design
✔ Thermische Robustheit
✔ Höhere Lebensdauer
Sie planen ein Projekt im Bereich Bahn, Energie oder E-Mobilität?
Thiele KG unterstützt Sie mit maßgeschneiderten Lösungen auf Basis modernster GaN- und SiC-Technologien.
Kontaktieren Sie uns – wir beraten Sie gern!

Falls Sie Fragen haben oder eine individuelle Beratung wünschen, steht Ihnen das Team der Thiele KG gerne zur Verfügung.


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